陈培毅
Chen Peiyi

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陈培毅，男，江苏徐州人，1944年生于重庆市。现为清华大学教授，博士生导师。兼职有：中国电子学会高级会员，微纳电子技术杂志编委，中国物理快报杂志特约评审。
1970年毕业于清华大学无线电系, 1981年由清华大学物理系硕士研究班毕业，并取得理学硕士学位。留校后在清华大学微电子学研究所从事教学及科研工作。曾主讲本科"固体物理"课程。1994.12~1995.12年作为访问学者在香港科技大学工作一年。

通信地址：中国北京清华大学微电子学研究所，邮编100084
E-mail: chenpy@tsinghua.edu.cn

科研方向集中于新型半导体材料及器件，半导体单片集成技术及纳电子学。曾参加主持的科研项目有863"计算机芯片光互"，"GaAs/Si单片光电子集成LD光发射器"，国家九五攻关项目"微米／纳米新器件新电路结构''的子课题，"SiGe材料与器件研究" 等的负责人，国家自然科学基金重点基金项目"SOI/GeSi/BiCMOS集成电路研究" 及"中子和g辐照SiGeHBT中的深中心对电学性能的影响"的负责人之一，985清华大学信息学院重点基金项目"新型信息微器件与系统"中"SiGe材料与器件"子课题负责人，清华大学基础研究重点基金"低维硅基纳米结构和相关量子器件"和985信息学院学科建设重点基金"纳米级量子，电子器件结构和理论分析"的项目负责人。还主持并完成我所与美国MOTOROLA公司的合作研究项目两项："SiGe 外延生长技术的开发"及"SiGe外延晶体特性分析"。

研究开发出的新型半导体器件及电路有：GaAs/Si LED及单片集成光发射器，GaAs/Si LD，GaAs/Si MESFET，GeSi/Si HIP长波长红外探测器及CMOS 读出电路。用我所开发的UHV/CVD设备生长出器件水平的SiGe/Si异质结材料，并用其研制成功SiGe/Si 微波低噪声HBT和微波功率HBT，SiGe/Si HPMOSFET及SiGe /Si HNMOSFET, SOI横向混合模式晶体管及电路，研制出SiGe RTD等新型量子器件。在SiGe材料及器件的研究领 域处国内领先地位。领导的研究小组用我所研制的UHV/CVD设备在硅衬底上实现了锗量子点自组装生长，并研制成功锗量子点红外探测器。1999.10，因"微波大功率SiGe HBT器件的研制"这一科研成果获信息产业部科技进步三等奖。2001年还获美国专利（申请号：09/105281，09/198875）两项和获得或正在申请国内专利7项。

作为副导师指导博士生4名，作为导师指导博士后7名，博士生3名，硕士生6名。先后在国内外著名刊物，发表学术论文120余篇，被Sci收录20篇, EI收录49篇。译作：半导体工艺，Cahn等主编，1999年由科学出版社出版，ISBN 7-03-007260-X。翻译书中化合物半导体器件结构和化合物半导体器件工艺两章，共计100页。